Fahrzeugelektronik

Die Partner im Projekt YESvGaN entwickeln eine neue kostengünstige Wide-Bandgap (WBG)-Leistungstransistor-Technologie, die hocheffiziente leistungselektronische Systeme für Elektromobilität, Industrieantriebe, erneuerbare Energien und Rechenzentren ermöglicht.

Das Hauptziel des Projekts ist die Demonstration innovativer vertikaler Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren, die auf einem preisgünstigen Substrat wie Silizium hergestellt werden. Diese sogenannte vertikale Membranarchitektur verbindet die hervorragenden Eigenschaften von GaN als WBG-Leistungstransistor-Material mit den Vorteilen einer vertikalen Architektur hinsichtlich Strom- und Spannungsrobustheit, und das zu Kosten, die mit denen für Silizium-IGBTs vergleichbar sind. YESvGaN addressiert die gesamte Wertschöpfungskette – von Substrat-, Epitaxie-, Prozess- und Verbindungstechnologie bis hin zu Anwendungen in leistungselektronischen Systemen. Im YESvGaN-Konsortium bringen 23 Industrie- und Forschungspartner aus 7 europäischen Ländern ihre Kompetenz und Erfahrung ein.

Das Fraunhofer IISB trägt entlang der gesamten Wertschöpfungskette zu YESvGaN bei, unter anderem durch:

• Analyse von Epitaxieschichtstapeln und Kristalldefekten, Entwicklung innovativer Verfahren zur Messung der elektrischen Eigenschaften von Defekten und dünnen Membranen
• Definition neuer Prozesse für das Handling von dünnen Membranen beim Packaging und Keramik-Embedding
  
• Elektrische Charakterisierung neuartiger Leistungsbauelemente, Entwicklung eines elektrischen Simulationsmodells und Design eines Halbbrücken-Leistungsmoduls

YESvGaN Homepage

Das Verbundprojekt transform_EMN unterstützt mit gezielten Angeboten und einem breiten Netzwerk in der Metropolregion Nürnberg die Automobilzulieferindustrie bei den Herausforderungen der Transformation zur Elektromobilität.