9. Dezember 2016
Fraunhofer IISB, Erlangen
Fraunhofer IISB, Erlangen
Begrüßung
Lothar Frey, Fraunhofer IISB, Erlangen
Grußworte
Karl-Dieter Grüske, Universität Erlangen-Nürnberg
Alfred Gossner, Fraunhofer-Gesellschaft, München
Von der Nutzergruppe Ionenimplantation zur GMM und der Herausforderung neuer Materialien
Reinhard Ploss, Infineon Technologies, Neubiberg
Implantation and Nanoscience – Research Friendship IISB and MFA
József Gyulai, MFA, Budapest
Momente in der Ionenimplantation – Projizierte Reichweite: 20 Jahre
Volker Häublein, Fraunhofer IISB, Erlangen
Klein, aber OHO
Werner Schustereder, Infineon Technologies, Villach
The Role of Ion Implantation in Four Decades of CMOS Scaling and into the Future of Nanometer-scale Electronics
Michael I. Current, Current Scientific, San José
Advancement in Ion Implantation Annealing from Seconds to Milliseconds
Wilfried Lerch, Centrotherm, Blaubeuren
A Way to Ion Implantation – Some Reflections
Alexander Scheit, IHP, Frankfurt (Oder)
35 Years of International Collaboration on Ion Implantation
Mikio Takai, Osaka University, Osaka
40 Jahre Ionenimplantation
Heiner Ryssel, Fraunhofer IISB, Erlangen