64. Treffen der Nutzergruppen "Ionenimplantation"

Begrüßung
Volker Häublein, Fraunhofer IISB, Erlangen

Quellenlebensdauer: Traum oder Wirklichkeit?
Dirk-Wito Franke, ION DOPING, Langebrück

APC-Prozesskontrollstrategie für die Ionenimplantation bei Infineon Regensburg
Tobias Weindler, Infineon Technologies, Regensburg

PMR for Ion Implant Monitoring
László Balogh, Semilab Semiconductor Physics Laboratory, Budapest/Ungarn

Key Physical Features and Applications of High Energy Ion Implantation Using the Energy-Filter Technology
Michael Rüb, mi2-factory, Jena

Progress in Aluminum implant into 4H-SiC, Progress in Magnesium implant into GaN
Stephane Morata, Ion Beam Services, Peynier/Frankreich

Deterministic Ion Implantation at IOM: Present State and Future Challenges
Daniel Spemann, Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung, Leipzig

Ion Implantation Homogeneity Characterization by Lateral Resistance Mapping
Anna Reinhardt, Bernhard Schwartz, CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik, Erfurt

Modification of a Varian 350D’s End-Station for Greater Flexibility
Volker Häublein, Taleb Altaleb, Fraunhofer IISB, Erlangen

Kurzpräsentation zum Thema des Herbstnutzergruppentreffens bei der Universität Hannover:
"Alles zu den Bereichen Dosis und Dosisrate"
Bernhard Krimbacher, Applied Materials, Dresden