60. Treffen der Nutzergruppe Ionenimplantation

Begrüßung
Volker Häublein, Fraunhofer (IISB), Erlangen

Ion Implantation at FBH
Andreas Thies, Ferdinand Braun Institut, Berlin

IIT 2018
Neil Fox, Robert Bosch GmbH, Reutlingen

Creation of Quantum Centers in Silicon Using Spatial Selective Ion Implantation of High Lateral Resolution
Tobias Herzig, Universität Leipzig

Platinum in Silicon after Post-Implantation Annealing: From Experiments to Process and Device Simulation
Anna Johnsson, Fraunhofer IISB, Erlangen

Impact of Al-Ion Implantation on the Formation of Deep Defects in n-Type 4H-SiC
Julietta Weiße, Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente, FAU Erlangen-Nürnberg

High Throughput High Temperature Ion Implanter for SiC Devices and Proton Implanter
Weijiang Zhao, Nissin Ion Equipment Co. Ltd., Kyoto, Japan

Benefits of New Generation of IBS Implanters for SiC Doping
Jeremy Flamanc & Stephane Morata, IBS, Peynier, France

Evaluierung von Ion-X AsH₃ und PH₃ Gaszylindern auf einem Varian VIISion Hochstrom-Implanter
Klaus Kerkel, Infineon Technologies, Regensburg