57. Treffen der Nutzergruppe Ionenimplantation

Begrüßung
Volker Häublein, Fraunhofer (IISB), Erlangen

Vorstellung der X-FAB
Manfred Riemer, X-FAB Semiconductor Foundries, Erfurt

Ion-irradiation-induced Si Nano-dot Self-Assembly for Hybrid SET-CMOS Technology
Karl-Heinz Stegemann, X-FAB Semiconductor Foundries, Erfurt

Introduction to Dose and Angle Control on Purion H High Current Implanter
James S. DeLuca, Axcelis Technologies, Beverly, MA/USA

Increasing Precision Requirements for Ion Implantation
Jeff Klein, Applied Materials, Dresden

MEMS Technologies @ X-FAB including Ion-Implantation Use cases
Roy Knechtel, X-FAB Semiconductor Foundries, Erfurt

ION DOPING
Dirk-Wito Franke, ION DOPING, Dresden

U_th-Einfluss durch Anlagensplit bei As-Hochdosisimplantation – Ursachenanalyse
Lutz Ende, X-FAB Semiconductor Foundries, Erfurt & Arnd Hürrich, Fraunhofer IPMS, Dresden

Diskussion im Anschluss: Welche Implantertests werden durchgeführt? Warum gibt es keine Standards?

Update IIT 2018
Volker Häublein, Fraunhofer IISB, Erlangen