26. November 2015
Infineon Technologies AG, Regensburg
Infineon Technologies AG, Regensburg
Begrüßung
Volker Häublein, Fraunhofer IISB, Erlangen
Dietmar Henke, Globalfoundries, Dresden
Kurzvorstellung Infineon Technologies
Klaus Kerkel, Infineon Technologies, Regensburg
Ionenimplantation in SiC
Werner Schustereder, Infineon Technologies, Villach/Österreich
Diskussion: Unterstützung durch die Nutzergruppe für die Bewerbung zur Durchführung der IIT 2018
Einführung: Heiner Ryssel, Fraunhofer IISB, Erlangen
Demo: MKS-RGA an Varian VIISta 900 XEr
Alexander Scheit, IHP, Frankfurt (Oder)
VIISta PLAD Update
Reiner Kaspareit, Applied Materials, Dresden
Hyperdoping of silicon using Se-Implantation and flash lamp annealing
Yonder Berencen, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
Wafer 17 Effekt
Alexander Scheit, IHP, Frankfurt (Oder)
Uth-Einfluss durch Anlagensplitt bei der As-Hochdosis-Ionenimplantation
Arnd Hürrich, Fraunhofer IPMS, Dresden
am 7. April 2016
Fraunhofer IISB, Erlangen