47. Treffen der Nutzergruppe Ionenimplantation

Begrüßung
Heiner Ryssel, Fraunhofer IISB, Erlangen

Ionenimplantation zur Herstellung von Strahlungsdetektoren
Florian Schopper, Max-Planck-Institut Halbleiterlabor, München

Einfluss von (Dotierungs-)Fluktuationen auf die elektrischen Eigenschaften von CMOS-Bauelementen
Alexander Burenkov, Jürgen Lorenz, Fraunhofer IISB, Erlangen

Mikroatomuhren mittels Implantation
Henning Völlm, Lehrstuhl für Messtechnik, Universität des Saarlandes

Ausheilverhalten von Cs- und Rb-implantiertem Silicium
Reinhard Maier, Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente, Universität Erlangen-Nürnberg