48. Treffen der Nutzergruppe Heißprozesse und RTP

Fraunhofer IISB in Erlangen

Problemstellung: Lange Prozesse an RTP-Anlagen
Jenny Göckeritz, Fraunhofer IPMS, Dresden

Empirisches Modell zur Bildung von nickelbasierten Ohmkontakten auf n Typ4H SiC durch Laserbearbeitung
Carsten Hellinger, Fraunhofer IISB, Erlangen

Yield Loss by Stress Induced Stacking Faults in Thermal Oxidation of Si(100)
Thomas Igel-Holtzendorff, Nexperia Germany, Hamburg

Laser Annealing for Dopant Activation in Si and WBG
Cyrille Guillou, Ion Beam Services, Peynier/Frankreich

NiGe Formation on Thin Ge Films by Flash Lamp Annealing: Electrical Properties
Lars Rebohle, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, Dresden

Plasma Preparation after NiSi-based Ohmic Contact Formation to Enhance Adhesion of Subsequent Backside Metallization
Carsten Hellinger, Tom Becker, Fraunhofer IISB, Erlangen