Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology IISB6. April 2016
Fraunhofer IISB, Erlangen
39. Treffen der Nutzergruppe Heißprozesse und RTP
Tagesordnung
Begrüßung
Anton Bauer, Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB), Erlangen
Wilfried Lerch, centrotherm photovoltaics AG, Blaubeuren
Kurzvorstellung der Vishay Siliconix Itzehoe GmbH
Yves Ritterhaus, Vishay Siliconix, Itzehoeg
Leistungsfähigkeit und wirtschaftliche Nutzung von SiC-Leistungsbauelementen
Tobias Erlbacher, Fraunhofer IISB, Erlangen
BIFET – Entwicklung eines bipolaren SiC-Feldeffekttransistors für eine Anwendung im Mittelspannungsnetz
Andreas Hürner, Fraunhofer IISB, Erlangen
Diffusion Control of P-Delta-Doping in Germanium
Alexander Scheit, IHP, Frankfurt (Oder)
Nächstes Treffen:
am 8. Dezember 2016, Fraunhofer IISB, Erlangen
gemeinsam mit der Nutzergruppe "Ionenimplantation"