25. November 2015
Infineon Technologies AG, Regensburg
Infineon Technologies AG, Regensburg
Begrüßung
Anton Bauer, Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB), Erlangen
Wilfried Lerch, centrotherm photovoltaics AG, Blaubeuren
Kurzvorstellung Infineon Technologies
Klaus Kerkel, Infineon Technologies, Regensburg
GeSn: Wachstum und Bauelementprozesse
Inga Anita Fischer, Institut für Halbleitertechnik, Universität Stuttgart
Rear side versus front side flash lamp annealing in Ge-wafers
Wolfgang Skorupa, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
First results of Ge oxidation with the PlasmoxLT
Wilfried Lerch, centrotherm photovoltaics, Blaubeuren
Helios XP 200
Hannah Krasser, Mattson Thermal Products, Dornstadt
Levitor’s conductive RTP for uniform and repeatable process results
Xavier Pagès, Levitech, Almere/Niederlande
Evaluierung eines Hochtemperatur-Oxidationsofens mit Hilfe von Oxidationsexperimenten auf Silicium und SiC
Martin Haueise, centrotherm photovoltaics, Blaubeuren
Photoelastic characterization of point-like stress sources in silicon wafers by SIRIS and SIREX
Martin Herms, PVA Metrology ans Plasma Solutions, Jena
am 6. April 2016
Fraunhofer IISB, Erlangen