6. November 2013
IHP GmbH, Frankfurt (Oder)
IHP GmbH, Frankfurt (Oder)
Begrüßung
Anton Bauer, Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB), Erlangen
Wilfried Lerch, centrotherm photovoltaics AG, Blaubeuren
Kurzvorstellung IHP GmbH
Wolfgang Mehr, IHP, Frankfurt (Oder)
Flash-Lamp-Annealing for Enhanced Atomic Layer Deposition Processes
Thomas Henke, Institut für Halbleiter- und Mikrosystemtechnik (IHM), TU Dresden
Blitzlampenequipment und Anwendungen am Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
Günter Schmidt, FHR Anlagenbau, Ottendorf-Okrilla; Thomas Schumann, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
Eignung der Ripple Pyrometrie für die hintergrundkorrigierte Temperaturmessung während der Blitzlampenausheilung
Denise Reichel, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
Low-Temperature Oxidation/Nitridation Processes Enabling Advanced Junctions
Wilfried Lerch, centrotherm photovoltaics AG, Blaubeuren
Application of Atomic Layer Deposited Dopant Sources for Ultra-Shallow Doping of Silicon
Bodo Kalkofen, Lehrstuhl Halbleitertechnologie, Universität Magdeburg
Supraleitende Schichten in Ga-implantiertem Si und Ge
Jan Fiedler, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf
Mittwoch, 2. April 2014
Fraunhofer IISB, Erlangen