12. Mai 2011
am Fraunhofer IISB in Erlangen, zusammen mit der Nutzergruppe Ionenimplantation
am Fraunhofer IISB in Erlangen, zusammen mit der Nutzergruppe Ionenimplantation
Begrüßung
Wilfried Lerch, centrotherm thermal solutions GmbH + Co. KG, Blaubeuren
Heiner Ryssel, Fraunhofer IISB, Erlangen
Elektrische Aktivierung von Dotanden durch Laser Tempern oberhalb der Löslichkeitsgrenze
Danilo Bürger, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf e. V., Dresden
Ultra Fast Anneal in a Production Environment
Dirk-Wito Franke, Globalfoundries, Dresden
Oxidladungsgeneration in nitridierten Oxiden auf 4H-SiC
Christian Strenger, Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente (LEB), Universität Erlangen-Nürnberg
Sub-atmospheric Chemical Vapor Deposition of SiO2 for Dielectric Layers in High Aspect Ratio TSVs
Marco Lisker, IHP GmbH, Frankfurt (Oder)
Gezielte Einstellung von Tropfenkondensation mittels Ionenimplantation
Andreas Paul Fröba, Lehrstuhl für Technische Thermodynamik, Universität Erlangen-Nürnberg
Silicium-Strahlungsdetektoren hergestellt in Zusammenarbeit mit der Fraunhofer-Gesellschaft
Florian Wiest, KETEK GmbH, München
Vakuumlöten für Leistungshalbleiter-Anwendungen
Stefan Moosmann, centrotherm thermal solutions GmbH + Co. KG, Blaubeuren
Lanthanoid Implantation for Effective Work Function Control in NMOS High-k/Metal Gate Stacks
Volker Häublein, Fraunhofer IISB, Erlangen
Dielektrische Schichten für passive Leistungshalbleiterbauelemente
Tobias Erlbacher, Fraunhofer IISB, Erlangen