26. Treffen der Nutzergruppe Heißprozesse und RTP

12. November 2009

bei Rubitec, Gesellschaft für Innovation und Technologie der Ruhr-Universität Bochum mbH,
zusammen mit der Nutzergruppe Ionenimplantation

Tagesordnung

Begrüßung
Heiner Ryssel, Anton Bauer, Fraunhofer IISB, Erlangen

Vorstellung Rubitec
Karl Grosse, Rubitec, Bochum

Millisecond Annealing of High-Performance SiGe HBTs
Klaus-Detlef Bolze, IHP, Frankfurt (Oder)

Advances in Si & Ge Millisecond Processing: From Silicon-on-Insulator to
Superconducting Ge
Wolfgang Skorupa, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf

Electrical Characterization of Spike and Flash Annealed Ultra Shallow Dopants
Jürgen Nieß, Mattson Thermal Products GmbH, Dornstadt

Laser Annealing of Power Devices: New Developments
Peter Oesterlin, Innovavent GmbH, Göttingen

Photoelastic Study of Stress-Induced Melt Nucleation Caused by ms-Pulse Annealing
Hans Geiler, JenaWave, Jena

20 Jahre Hochenergieimplantation in Bochum
Klaus Brand, Rubitec, Bochum

Hochtemperaturanlagen von Centrotherm
Martin Rambach, Centrotherm, Blaubeuren

Photoelastische Analyse von Vertikalbooten
Hans Geiler, JenaWave, Jena

Langzeitstudie zur MeV-Implantationskontrolle mittels TWIN
Kristian Schulz, JenaWave, Jena

Anwendungen von Hochenergie-Ionenimplantation
Jan N. Klug, Ruhr-Universität Bochum

Radioaktivität bei Hochenergieimplantationen in Leistungsbauelemente: An der Grenze zur nuklearen Einrichtung
Hans-Werner Becker, Ruhr-Universität Bochum &
Friedrich Kröner, Infineon Austria, Villach/Österreich

Implantation zur Herstellung von Quantencomputer
Jan Meijer, Rubion/Ruhr-Universität Bochum

Species Mix and its Impact on Tool Utilisation
Dieter Fuchs, Infineon Technologies AG, Regensburg

Ionenmix - X-FAB Erfurt
Lutz Ende, X-FAB Semiconductor Foundries AG, Erfurt

Diskussion zur zukünftigen Ausrichtung der Nutzergruppen Heißprozesse/RTP und Ionenimplantation