Nutzertreffen "PVD, PECVD, Ätzen"

CCP based deep Si Etch / Alternative resist removal
Matthias Rudolph, Fraunhofer CNT, Dresden, Germany

Allgemeine Aspekte bei der Integration poröser ultra low-k-Materialien
Sven Zimmermann, Stefan Schulz, Fraunhofer ENAS, Chemnitz, Germany

Polymerüberhang am Chamber Gate Metallätzer LAM 9600PTX
Andreas Höhn, X-FAB Semiconductor Foundries AG, Erfurt, Germany

PECVD: Problemstellungen bei Nitridabscheidungen im Bereich 3000 nm / Ätzen: Ausbeuteproblematik durch hohle Vias korreliert zu Via Oxidätzprozess
Michael Woittennek, X-FAB Dresden GmbH & Co. KG, Germany

Ausbeuteproblematik durch hohle Vias korreliert zu Via Oxidätzprozess
Frank Schmidt, X-FAB Dresden GmbH & Co. KG, Germany

Detection & Reduction of Via Defects & Via Yield Limiting Factors
Dirk Wolansky, IHP Innovations for High Performance, Frankfurt (Oder), Germany

Compressive-strained SiN deposited by PECVD as Stressor Layers
Marco Lisker, IHP Innovations for High Performance, Frankfurt (Oder), Germany

Root Cause NiFe Korrosion
Ole Woitschach, NXP Semiconductors Germany GmbH, Germany