Press Archives 2012

Erlangen/Bonn/Berlin/Dresden, Dezember 2012 – Nur noch bis zum 7. Januar 2013, 12 Uhr MEZ, können sich Interessierte für die vierte Auflage des DRIVE-E-Programms bewerben. Dann endet die Bewerbungsfrist für das vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und der Fraunhofer-Gesellschaft gemeinsam initiierte Nachwuchsprogramm im Bereich Elektromobilität. Die DRIVE-E-Akademie 2013 findet vom 4. bis 8. März 2013 in Dresden statt. Mit dem DRIVE-E-Studienpreis zeichnen die Veranstalter herausragende studentische Arbeiten zum Thema Elektromobilität aus. Er wird im Rahmen einer Festveranstaltung als Höhepunkt der Akademie am 6. März 2013 in der Elbmetropole verliehen.

Hamburg – Mehr als 50 ehemalige Teilnehmerinnen und Teilnehmer des Elektromo-bilitäts-Nachwuchsförderprogramms DRIVE-E trafen sich am 7. Dezember 2012 in Hamburg zum ersten DRIVE-E-Alumni-Meeting. Das vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und der Fraunhofer-Gesellschaft gemeinsam initiier-te Programm ist vor allem dank seines Netzwerks von jungen Talenten und Experten aus Wirtschaft und Forschung ein hervorragendes Karrieresprungbrett in diesem Be-reich. So stand beim DRIVE-E-Alumni-Meeting neben Vorträgen und Workshops zu verschiedenen Aspekten der Elektromobilität und dem Testen von Elektrofahrzeugen der Austausch untereinander im Vordergrund.

Etwa 40% des weltweiten Energiebedarfs gehen auf die Nutzung elektrischer Energie zurück. Durch den Einsatz moderner Elektronik können hier beträchtliche Einsparpotenziale realisiert werden. Im Vergleich zur etablierten Siliziumtechnologie lassen sich auf Basis von Halbleitern mit großer Bandlücke besonders effiziente elektronische Bauelemente und Schaltungen herstellen. Beispiele dafür sind Strom sparende Beleuchtungen mit Galliumnitrid-LEDs, Wechselrichter für Solar- und Windkraftanlagen mit Leistungsschaltern aus Siliziumkarbid oder die energiesparende Erzeugung von UV-Licht mit Bauelementen aus Aluminiumnitrid.

Process, device, and circuit simulation tools are essential in reducing time to market and the cost of new microchip technology development, delivering faster computers, better consumer products and fueling the digital economy. The International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) estimates that the use of such tools reduces chip development times and costs by about 40%. Advanced semiconductor devices and circuits are increasingly affected by different kinds of variations which occur during the process of chip fabrication. Within the European project SUPERTHEME, a tool chain for the simulation of the impact of process variations on the devices, circuits and systems fabricated will be developed. This will allow the global semiconductor industry to minimize the detrimental effects of such variations on chips used e.g. in computers, tablets and mobile phones.

Energiesparen ist einer der wichtigsten Hebel, um eine bezahlbare Energiewende zu ermöglichen. Speziell durch intelligente Leistungselektronik kann der Energieverbrauch von Netzteilen oder Elektromotoren erheblich gesenkt werden. Dafür werden Siliciumkristalle mit einem sehr geringen elektrischen Widerstand benötigt, um die elektrischen Schaltverluste in den Leistungsbauelementen zu minimieren. Die Herstellung von hoch leitfähigen Siliciumkristallen ist heute noch extrem anspruchsvoll. Gemeinsam mit der Freiberger Siltronic AG erforscht das Fraunhofer Technologiezentrum Halbleitermaterialien THM in Freiberg im Projekt PowerOnSi die wissenschaftlich-technischen Grundlagen, um kostengünstig Siliciumkristalle mit extrem geringen elektrischen Widerständen herstellen zu können, so dass der Einsatz von Leistungselektronik zum Energiesparen auf breiter Ebene weiter vorangetrieben wird. PowerOnSi wird vom Sächsischen Ministerium für Wissenschaft und Kunst gefördert, das Projekt begann am 1. Oktober 2012.

Am Montag, 5. November 2012, findet im Rahmen des VDE-Kongresses 2012 in Stuttgart der diesjährige „e-studentday“ samt Karrieremesse statt. Der „e-studentday“ richtet sich an Schüler, Studierende sowie Berufseinsteiger. Auf der Karrieremesse präsentiert sich auch DRIVE-E, das erste deutsche Nachwuchsprogramm für Studierende zum Thema Elektromobilität. Das DRIVE-E-Programm wurde gemeinsam vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und der Fraunhofer‐Gesellschaft initiiert und besteht aus der einwöchigen DRIVE-E-Akademie sowie den DRIVE-E-Studienpreisen.

Dr.-Ing. Christian Reimann vom Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB wurde am 10. Oktober 2012 mit dem Ulrich-Gösele-Young-Scientist-Award ausgezeichnet. Die während der internationalen Konferenz „Crystalline Silicon for Solar Cells“ in Aix les Bains in Frankreich vor 200 Kristallzüchtungsexperten verliehene Auszeichnung würdigt Reimanns herausragende Beiträge zur Steigerung der Materialqualität von multikristallinen Siliziumkristallen. Multikristalline Siliziumkristalle bester Qualität ermöglichen die kostengünstige Herstellung hocheffizienter Solarzellen.

Bewerbung für DRIVE-E-Studienpreis und -Akademie 2013 bis 7. Januar möglich unter www.drive-e.org – TU Dresden ist aktueller Hochschulpartner der DRIVE-E-Akademie von BMBF und Fraunhofer

Im Rahmen ihrer diesjährigen Herbstklausur besuchte die bayerische Landtagsfraktion von Bündnis90/Die Grünen am 18. September 2012 das Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB in Erlangen. Im Mittelpunkt des Interesses standen dabei aktuelle Forschungsaktivitäten und Entwicklungen auf dem Gebiet der Leistungselektronik, welche bei der Realisierung der Energiewende eine technologische Schlüsselrolle spielt.

Seit mittlerweile 10 Jahren besteht eine enge Kooperation zwischen der Firma NanoWorld Services GmbH und dem Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB in Erlangen. Die Zusammenarbeit zwischen dem führenden Hersteller von Abtastspitzen für die Rasterkraftmikroskopie und dem Institut ist ein Paradebeispiel für erfolgreiche FuE-Praxis.

Die Energietour 2012 der Fraktion von Bündnis90/Die Grünen im Bayerischen Landtag hat am 23. Juli 2012 am Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB in Erlangen Station gemacht. Vertreter der Frak-tionsspitze informierten sich hier über aktuelle Forschungsaktivitäten zur Leistungselektronik, die bei der Realisierung der Energiewende eine technologische Schlüsselrolle spielt.

Im Rahmen des Förderprogramms „IKT2020“ (Informations- und Kommunikationstechnologien) unterstützt das Bundesministerium für Bildung und Forschung das Forschungsvorhaben „Kompakte Elektronikmodule mit hoher Leistung für Elektromobilität, Antriebs- und Beleuchtungstechnik“, kurz „ProPower“. Das groß angelegte Verbundprojekt, an dem insgesamt 21 Partner aus Industrie und Wissenschaft unter der Federführung der Siemens AG beteiligt sind, wurde mit einem Fördervolumen von 16 Millionen Euro zum 1. Januar 2012 für einen Zeitraum von drei Jahren bewilligt.

Für das zehnte Praktikum Mechatronische Systeme im Studiengang Mechatronik der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU) hatten sich die Organisatoren eine besondere Aufgabenstellung für die Studentinnen und Studenten ausge-dacht: Die Verwandlung eines handelsüblichen Bobby-Cars in ein autonomes elektrisches Fahrzeug. Nicht ganz zufällig, feierte doch das bekannte Fahrzeug der im benachbarten Fürth ansässigen Firma BIG heuer seinen 40. Geburtstag. Das Praktikum Mechatronische Systeme wird seit 2003 im Studiengang Mechatronik der FAU angeboten und ist für die Studierenden das Highlight des Semesters. Bei der Abschlussveranstaltung am 11. Juli 2012 wurde die Funktionsfähigkeit der im Praktikum entwickelten Systeme geprüft und in einem spannenden Wettbewerb mit mehreren Durchläufen ansteigender Schwierigkeit das Sieger-Team ermittelt. Den geeigneten Rahmen für die Veranstaltung bot wieder das Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB in Erlangen, in dessen Räumlichkeiten der „Roboterwettbewerb“ traditionell ausgetragen wird.

Im Rahmen einer binationalen Masterarbeit wurde am Fraunhofer IISB in Erlangen eine neuartige Messmethode zur Charakterisierung ultradünner dielektrischer Schichten optimiert. Anna Alessandri von der Universität „Politecnico di Milano“ arbeitete zusammen mit Wissenschaftlern des IISB an der Weiterentwicklung eines hochmodernen Vakuum-UV-Reflektometers (VUV-R). Durch die Untersuchung verschiedener Methoden zur Kalibrierung des Messsystems und anhand von Referenzmessungen konnte die Präzision von Schichtdicken-Messungen im Bereich weniger Nanometer erheblich verbessert werden. Von dem VUV-R-Messgerät existieren weltweit nur 5 Installationen, das Gerät in Erlangen ist mit der erreichten Genauigkeit einzigartig.

Am Fraunhofer IISB in Erlangen wird gerade eine neue Anlage zur Ionenimplantation in Betrieb genommen. Das knapp 15 Tonnen schwere und rund 3 Mio. Euro teure Großgerät wird im gemeinsam mit dem IISB betriebenen Reinraum der Universität Erlangen-Nürnberg aufgestellt. Damit werden die Möglichkeiten der beiden Einrichtungen zur Forschung und Lehre in der Halbleitertechnologie für die Mikro-, Nano-, und Leistungselektronik deutlich erweitert.

Für ihre am Fraunhofer IISB in Erlangen angefertigte Doktorarbeit über das Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von Siliziumkarbid – dem idealen Werkstoff für die Leistungselektronik – wurde Frau Dr. Birgit Kallinger bei der Deutschen Kristallzüchtungstagung in Freiberg mit dem Nachwuchspreis 2012 der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung e.V. ausgezeichnet.

Am 30. März 2012 wird der Erweiterungsbau des Fraunhofer-Instituts für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB in Erlangen offiziell eröffnet. In den neuen Laboreinrichtungen werden Forschungs- und Entwicklungsarbeiten zu hoch effizienten leistungselektronischen Systemen durchgeführt, ein Fachgebiet, das gerade für die Zukunftsthemen Energieversorgung und Elektromobilität von großer Bedeutung ist. Der Erweiterungsbau wurde im Rahmen des Konjunkturpakets II von Bundesregierung und Freistaat Bayern gefördert.

For a sustained support of research in wide energy bandgap semiconductor materials and technologies, Fraunhofer IISB in Erlangen, Germany, and LAAS-CNRS, Toulouse, France, initiated the foundation of the Wide Bandgap Semiconductor Alliance WISEA. Including the Chair of Electron Devices of the University of Erlangen-Nuremberg, Germany, and CEMES-CNRS, Toulouse, France, the alliance covers all aspects of research and demonstrator development and makes the respective facilities available to third parties in cooperative projects.

BMBF und Fraunhofer-Gesellschaft verleihen DRIVE-E-Studienpreis / Interesse bei den Studierenden so hoch wie nie / Rachel: „Motivierter und hoch qualifizierter Nachwuchs liefert wichtige Beiträge für die Entwicklung marktfähiger Elektroautos“

Vom 12. bis 16. März 2012 treffen sich an der RWTH Aachen University Studentinnen und Studenten, um sich intensiv mit dem Thema Elektromobilität zu beschäftigen. Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und die Fraunhofer-Gesellschaft haben für die DRIVE-E-Akademie 2012 ein abwechslungsreiches Programm zusammengestellt, bei dem unter anderem Experten aus der Forschung und Industrie einen Einblick in ihre aktuelle Arbeit geben. Damit bietet die DRIVE-E-Akademie auch eine hervorragende Möglichkeit, Netzwerke mit Vertretern aus Industrie und Forschung zu knüpfen und sich über berufliche Perspektiven auszutauschen. In Laborworkshops und bei Probefahrten können die Akademie-Teilnehmer selbst ein Gefühl für die Faszination der Zukunftstechnologie Elektromobilität entwickeln.