17. März 2016
Infineon Technologies AG, Regensburg
Infineon Technologies AG, Regensburg
Kurzvorstellung Infineon Technologies
Wolfgang Zirngibl, Infineon Technologies, Regensburg
DHM for Fast 3D Topography Automated Optical Inspection
Yves Emery, Lyncée Tec SA, Lausanne/Schweiz
Optical CD Metrology for Patterning Process Control in R&D and High Volume Manufacturing
Ronny Haupt, KLA-Tencor, Dresden
Spectroscopic Ellipsometry and Mueller Matrix Measurement from CD Metrology to Photovoltaics
Uwe Richter, SENTECH Instruments, Berlin
Präzise Schichtdickenmessung an ultradünnen Oxiden auf Siliziumwafern – Anforderungen an die inline-Messtechnik
Christian Hagendorf, Fraunhofer-Center für Silizium Photovoltaik (CSP), Halle
VPD-Analyse auf hydrophilen Si-Scheiben (Prinzip, Umsetzung, Beispiele)
Walter Böhme, PVA MPS GmbH, Kirchheim
Elementanalyse an Oberflächen mit Röntgen- und Massenspektrometrie von mm bis nm
Hans-Ulrich Ehrke, CAMECA, Unterschleissheim
Lifetime, Defect Investigation and Crystal Orientation on Wide Bandgap Semiconductors
Kay Dornich, Freiberg Instruments GmbH, Freiberg
Advanced Characterization of High-Resistivity Epitaxial Layers for Power Device Applications
Michael Schweiger, Semilab Co. Ltd., Budapest/Ungarn
März/April 2017, Fa. KETEK, München
Das Thema wird noch bekanntgegeben.