Treffen der GMM-Fachgruppe 1.2.6 "Prozesskontrolle, Inspektion & Analytik"

Begrüßung und Einführung
Günther Zoth, Infineon, Regensburg; Mathias Rommel, Fraunhofer IISB, Erlangen

Röntgenanalytik zur Entwicklung neuer Materialien für Nanoelektroniken und Batterien
Matthias Müller, Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Berlin

TXRF und GIXRF im Analytik-Labor für Nanotechnologien
Andreas Nutsch, Fraunhofer IISB, Erlangen

Zerstörungsfreie Tiefenprofilanalyse und Oberflächenanalytik unter realen Bedingungen mit XPS
Thorsten U. Kampen, SPECS Surface Nano Analysis GmbH, Berlin

Nano-Röntgentomographie für die physikalische Fehleranalyse bei der 3D-Integration von Chips
Ehrenfried Zschech, Fraunhofer IZFP, Dresden

Vergleich TXRF, ICP-MS und ICP-OES bei Bulk und Oberflächen
Rudolf Huber, SemiSol Analytik GmbH, München

Nasschemische Spurenelementanalytik in Solar-Silizium
Sylke Meyer, Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik, Halle

Ultraschnelle Tiefenprofilcharakterisierung von Schichten mit GD-OES oder Plasma Profiling TOF MS
Christophe Deraed, HORIBA Jobin Yvon GmbH , Unterhaching

Latest Developments in 2D und 3D Imaging SIMS with Cluster Ions – Approaching the Physical Limits
Sven Kayser, ION-TOF GmbH, Münster

TOF-SIMS in Kombination mit anderen ortsaufgelösten und integralen Verfahren
André Möller, SGS INSTITUT FRESENIUS GmbH, Dresden

SIMS für Si und Verbindungshalbleiter – Technologieupdate
H.-Ulrich Ehrke, Cameca GmbH, Unterschleißheim

Charakterisierung von Schichtdicken im Nanometerbereich mit einem Großflächen-EDX-Detektor
Tobias Geiger, Fraunhofer IISB, Erlangen