26./27. Februar 2009
am Fraunhofer IISB, Erlangen
Schwerpunktthema: "Kontamination in der Siliciumtechnologie"
am Fraunhofer IISB, Erlangen
Schwerpunktthema: "Kontamination in der Siliciumtechnologie"
Reinigung in der Halbleitertechnologie
Michael Otto, Fraunhofer IISB, Erlangen
Pt-Diffusion zur Optimierung des Schaltverhaltens bei Si-Leistungsdioden
Gerhard Schmidt, Infineon Technologies Austria AG, Villach
Kontaminationen in multikristallinem Silicium
Bianca Gründig-Wendrock, Solar World Innovations GmbH, Freiberg
Frequenzabhängige Kelvin Probe Messungen auf Si-Dotierungsprofilen
Anne-Dorothea Müller, Anfatec Instruments AG, Oelsnitz
Kontamination aufgrund von Masseninterferenzen in der Ionenimplantation
Volker Häublein, Fraunhofer IISB, Erlangen
Organic and Inorganic Contamination Analysis Using Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (TOF-SIMS) and Low-Energy Ion Scattering (LEIS)
Sven Kayser, ION-TOF GmbH, Münster
Referenzprobenfreie Kontaminationsbestimmungen durch Röntgen¬spektrometrie
Burkhard Beckhoff, Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Berlin
WT-2500 for Silicon Material & Process Characterization
Thomas Jaehrling, Semilab, Budapest/Ungarn