Treffen der GMM-Fachgruppe 1.2.6 "Prozesskontrolle, Inspektion & Analytik"

SIMS Profile an der Oberfläche, Implants und dünne Schichten: Die ersten 5 nm
Dr. Christoph Schnürer-Patschan, Cameca GmbH, Unterschleissheim

Shallow Probe: Halbleiterproduktionskontrolle der Dosis und der Gleichförmigkeit von ultra shallow implants und anderen dünnen Schichten
Dr. Ulrich Ehrke, Cameca GmbH, Unterschleissheim

Optimierung der Scheiben-Oberflächenpräparation für die Hg-C(U)-Messung an Si-Epitaxieschichten
Dr. Johannes Baumgartl, Infineon Technologies Austria AG, Villach, Österreich

Charakterisierung von Si- und Ge-Oberflächen ohne/mit Self-Assembled Monolayers mit XPS, TXRF und AFM
Prof. Dr. Bernd Kolbesen, Institut für Anorganische und Analytische Chemie, Universität Frankfurt/Main

Nachweis und Quantifizierung dünner Schichten mit AES
Dr. Jörg-Martin Batke, Dr. Rudolf Schaller, Dr. Günther Zoth, Infineon Technologies AG, Regensburg

Referenzprobenfreie Röntgenspektrometrie mit Synchrotronstrahlung
Dr. Burkhard Beckhoff, Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Berlin

Einsatz eines mechanischen Profilometers zur Bewertung von CMP-Prozessen
Wolfgang Höppner, Heike Silz, Sebastian Geisler, IHP GmbH, Frankfurt/Oder

Grundlagen und Anwendungen der Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS) in der Mikroelektronik
Dr. Markus Terhorst, ION-TOF GmbH, Münster

Einsatz von TOF-SIMS und AES in der Oberflächenanalyse einer Halbleiterfabrik
Dr. Patrick Rostam-Khani, NXP Semiconductors, Nijmegen, Niederlande