Treffen der GMM-Fachgruppe 1.2.6 "Prozesskontrolle, Inspektion & Analytik"

Zuverlässigkeitsbestimmung von ultra-dünnen Siliciumdioxid- und hoch ε-Schichten
A. Bauer, Fraunhofer IISB, Erlangen

What can we learn from state-of-the-art electrical characterization of high-k devices?
L. Pantisano, IMEC, Levuen, Belgien

Modifikation am Elymat zur Oxid-Charakterisierung
W. Böhme, GeMeTec, München

Charakterisierung von Isolator/Silicium-Grenzflächen mit dem modifizieren Elymat- Verfahren
M. Rommel, Fraunhofer IISB, Erlangen

Hall-Effekt-Untersuchungen im Kanal von MOSFETs
M. Krieger, Universität Erlangen-Nürnberg

Extraktion der physikalischen Dicke dünner Gateoxide aus HF-CV-Messungen an MOS-Strukturen
R. Sorge, IHP, Frankfurt (Oder)

Schichtcharakterisierung mit Röntgen-Reflektometrie
B.O. Kolbesen, Universität Frankfurt

Hochauflösende Tiefenprofilanalyse an ultradünnen Gate-Oxiden
G. Dollinger, Universität der Bundeswehr, München

Airgaps - Reaching for the ultimate dielectric constant
W. Pamler, Infineon Technologie AG, München