Seminar  /  October 15, 2024

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter: Herstellung und Anwendungen | Kooperations-Seminar

Neue Wide-Bandgap (WBG)-Materialien wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid ermöglichen es als Leistungshalbleiter, sehr effizient elektrische Energie in der E-Mobilität, in PV-Wechselrichtern oder Netzteilen umzuwandeln. Die Entwicklung neuer Halbleitermaterialien wird vor allem durch die Anwendungen getrieben. Das Kooperations-Seminar WBG-Halbleiter gibt einen Einblick in die komplexen Zusammenhänge zwischen der Herstellung der Leistungshalbleiter-Materialien und den Anwendungseigenschaften in leistungselektronischen Systemen. Insbesondere nanotechnologisches Grundverständnis ist bei Herstellung und Charakterisierung von Halbleitern von entscheidender Bedeutung für die resultierenden Eigenschaften und die Qualität.

In dem Seminar wird Prof. Jörg Schulze, Direktor des Fraunhofer IISB, zum Thema "AlN — ein Ultra-WBG-Halbleiter der nächsten Generation" sprechen.

Ziele der Veranstaltung:

  • Information über die komplexen Zusammenhänge zwischen Herstellprozessen und resultierenden anwendungsrelevanten Eigenschaften
  • Grundlegendes Verständnis zur Nanotechnologie und Charakterisierungsverfahren
  • Vernetzung von Personen unterschiedlicher Fachdisziplinen und Branchen

Zielgruppe

Alle Personen, die mehr über die technischen Prozesse und Wechselwirkungen entlang der Wertschöpfungskette moderner Leistungshalbleiter erfahren wollen, insbesondere Entwickler und Anwender, aber auch Vertrieb, Produktmanagement usw.

 

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