Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISBAls Teil der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD) betreiben wir an unserem Hauptsitz in Erlangen eine durchgängige 150mm Siliziumkarbid-Prozesslinie in einer industrietauglichen Umgebung. Mit drei Jahrzehnten Erfahrung in der Mikroelektronik-Forschung und -Entwicklung haben wir unsere Aktivitäten auf die industrieorientierte Kleinserien-Prototypherstellung von maßgeschneiderten SiC Bauelementen mit Fokus auf Leistungsbauelemente, CMOS-Bauelemente, Passive und Sensoren ausgeweitet. Darüber hinaus verwenden wir ein kundenspezifisches Design von Testbauelementen, die in unserer flexiblen, voll CMOS ausgestatteten Reinraumlinie in unserer Niederlassung in Freiberg prozessiert werden, um die Materialeigenschaften mit der Leistungsfähigkeit von Bauelementen zu korrelieren und kritische Materialfehler zu identifizieren.
© Kurt Fuchs / Fraunhofer IISB
Testbauelemente
Optische Inspektion eines SiC Wafers
AlN SAW Strukturen auf Saphir
Mikroskopische Aufnahme von GaN high-electron-mobility Transistors (HEMT) mit unterschiedlicher Gate-Länge und anderen Teststrukturen
Leistungen
- Kleinserien-Prototypfertigung von SiC-Bauelementen (z. B. JBS, VDMOS, Dioden, CMOS)
- Kundenspezifisches Design von Testbauelementen
- Verarbeitung von Testbauelementen (z.B. GaAs, InP, GaN, AlN, AlScN, Diamond) in einer flexiblen F&E-Linie
- Entwicklung von Bauelement-Prozessschritten (ALD, ALE, Passivierung, Ätzen, Metallisierung)
- Epitaxie (SiC, AlGaN)
- Identifizierung kritischer Materialfehler
- Elektrische Charakterisierung von Bauelementen auf Waferebene durch IV, CV-Messungen
