Wir führen spezifische Forschungsarbeiten zur Züchtung von Silizium Kristallen nach dem Czochralski-Verfahren im Hinblick auf höhere Ausbeute und verbesserte Materialqualität durch. Zum Beispiel treiben wir die Ziehgeschwindigkeit durch Optimierung der Hot-Zone mittels numerischer Modellierung an ihre Grenzen oder wir lüften die Geheimnisse der Ziehkante, um die Defektbildung beim Kristallziehen zu detektieren. Im Bereich der gerichteten Erstarrung liegt der Schwerpunkt auf der Technologieentwicklung und Charakterisierung von Si-Blöcken, die beispielsweise als Sputtertargets oder als mechanische Komponenten in der Halbleiterindustrie eingesetzt werden.