2014

Noch bis 12. Januar 2015, 12 Uhr MEZ, suchen das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und die Fraunhofer-Gesellschaft herausragende studentische Arbeiten rund um das Thema Elektromobilität: Für die mit bis zu 6.000 Euro dotierten DRIVE-E-Studienpreise können sich Absolventinnen, Absolventen sowie Studierende aller deutschen Hochschulen und Universitäten unter www.drive-e.org bewerben.

Der Innovationspreis Mikroelektronik, der jährlich vom Förderkreis für die Mikroelektronik e.V. ausgeschrieben wird, würdigt in diesem Jahr die Entwicklung eines innovativen Radnaben-Antriebes für elektrische Automobile. Der Innovationspreis wurde im Rahmen der Sitzung des Technologie- und Innovationsnetzes Mittelfranken (tim) in Nürnberg verliehen. Die Preisträger des Innovationspreises 2014 sind Thorsten Schubert und Jan Ortner von Schaeffler Technologies, Herzogenaurach, sowie Hubert Rauh und Stefan Arenz vom Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB, Erlangen. Ausgezeichnet werden sie für das neuartige Radnaben-System „Schaeffler E-Wheel Drive“ für Elektrofahrzeuge, das von Schaeffler in Kooperation mit dem IISB entwickelt wurde.

Im Verbundprojekt SolarWinS haben Forscher vom Fraunhofer IISB eine spezielle Experimentieranlage zur Optimierung von Tiegel- und Beschichtungsmaterialien, die bei der so genannten gerichteten Erstarrung von Photovoltaik-Silizium zum Einsatz kommen, entwickelt. Mit der neuartigen Anlage untersuchten die Erlanger Wissenschaftler die chemische Stabilität der bei der Produktion von Solarsilizium eingesetzten Tiegelmaterialien. Ziel war die Verringerung des Verunreinigungseintrages bei der Herstellung von multikristallinen Siliziumkristallen. Die damit verbundene Verbesserung der elektrischen Materialeigenschaften eröffnet weiteres Potential zur Steigerung des Wirkungsgrades bei preisgünstigen multikristallinen Solarzellen.

Das dieses Jahr gestartete BMBF-Förderprojekt „InSel – Inhärent Störungsarme Leistungselektronik“ hat das Ziel, Maßnahmen zur Reduktion der elektromagnetischen Störaussendung von Leistungselektronik in Elektrofahrzeugen deutlich zu verbessern. An „InSeL“ beteiligt sich ein Industriekonsortium mit den Firmen BMW, Lenze, Bosch, Infineon und EPCOS sowie das ISEA an der RWTH Aachen University und die Fraunhofer Institute LBF und IISB. Das Projekt wird vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) mit rund 3,5 Mio. Euro gefördert.

„Die DRIVE-E-Akademie ist ein gutes Karrieresprungbrett. Sie erleichtert den Berufseinstieg – und macht dabei jede Menge Spaß“, so Victor Schäfer, DRIVE-E-Teilnehmer 2012 und heute Doktorand im Bereich Elektromobilität bei der Porsche AG. Für die sechste Auflage des vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und der Fraunhofer-Gesellschaft initiierten DRIVE-E-Programms können sich Studierende aller deutschen Hochschulen ab dem dritten Bachelorsemester noch bis zum 12. Januar, 12 Uhr MEZ, online unter www.drive-e.org bewerben. Eine Jury wählt 50 Teilnehmerinnen und Teilnehmer aus, die vom 8. bis 13. März 2015 in Erlangen und der Metropolregion Nürnberg alle Facetten der Elektromobilität in Theorie und Praxis erleben dürfen.

Anlässlich des Symposiums „Energietechnik im Wandel – Bayerische Energieforschungsprojekte“ am 27. Oktober 2014 in Nürnberg diskutierten Experten aus Industrie und Wissenschaft die neuesten Resultate großer Energieforschungsprojekte bayerischer Fraunhofer-Institute und ihre Anwendungspotentiale im Energiesystem der Zukunft. Dazu gab die bayerische Energieministerin Ilse Aigner in ihrem Grußwort einen Einblick in die Sichtweise und Planungen der bayerischen Staatsregierung zum Umbau der Energieversorgung.

Siemens und das Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB arbeiten künftig auf dem Gebiet der elektrischen Energiever-sorgung zusammen. Gemeinsam sollen neue Lösungen für die Energieumwandlung im Nieder- und Mittelspannungsbereich mit Hilfe der Multi-Level-Technologie gefunden werden. Die Forschungskooperation erweitert den Campus „Future Energy Systems“ in Erlangen und unterstreicht die Bedeutung des Standorts als nationales Leistungszentrum für Elektroniksysteme.

Galliumnitrid (GaN) gilt als Halbleitermaterial der Zukunft. Doch noch ist die Herstellung sehr teuer. Gemeinsam mit Forschern aus der Industrie haben Wissenschaftler vom Fraunhofer THM in Freiberg ein neues Anlagenkonzept entwickelt, welches die Herstellungskosten von GaN deutlich senkt. Damit ergeben sich Chancen auf neue Arbeitsplätze am Halbleiterstandort Freiberg.

Ab sofort können sich Studierende für den DRIVE-E-Studienpreis sowie die DRIVE-E-Akademie 2015 in der Metropolregion Nürnberg bewerben. Die Teil-nehmerinnen und Teilnehmer erwartet eine spannende Akademiewoche mit Vorträgen, Workshops, Networking und Exkursionen rund um die Elektromobi-lität. Höhepunkt ist die Verleihung der DRIVE-E-Studienpreise für herausragen-de studentische Arbeiten zum Thema.

AIXTRON, a leading provider of deposition equipment to the semiconductor industry, has teamed up with research institution Fraunhofer IISB (Institute for Integrated Systems and Device Technology) in Erlangen, Germany, to develop 150 mm Silicon Carbide (SiC) epitaxy processes using the new AIXTRON 8 x 150 mm G5WW Vapor Phase Epitaxy (VPE) system. AIXTRON’s Planetary Reactor® tool will be installed at the IISB cleanroom laboratory in the fourth quarter of 2014.