Treffen der Nutzergruppen "Heißprozesse und RTP" und "Ionenimplantation"

Vielen Dank für die zahlreiche Teilnahme am Treffen der GMM-Nutzergruppen:

"Heißprozesse und RTP" am 15. Mai 2024

und 

"Ionenimplantation" am 16. Mai 2024

Wir werden zeitnah die uns zur Verfügung gestellten Vorträge hier online zum Download anbieten. 

Tagesordnung 15.05.2024

Presentation of Fraunhofer IPMS Dresden
Alexander Scheit, Fraunhofer IPMS, Dresden

Übersicht der Hochtemperatur am IPMS
Jenny Göckeritz, Fraunhofer IPMS, Dresden

Indicating poly resistor variations by standard inline measurements
Christian Schwarz, Texas Instruments, Freising
Michael Garbe, Texas Instruments, Freising

CVD-Prozess als Alternative zur POCl3 Dotierung
Pauline Dill, Fraunhofer IPMS, Dresden

Flash lamp annealing for role-to-role applications
Lars Rebohle, Helmholtz-Zentrum, Dresden-Rossendorf

Rapid Thermal Processing of SiC Contacts in a Box-free Environment
Silke Hamm, Mattson Thermal Products, Dornstadt

Plasma Enhanced Wafer Treatment and Annealing
Peter Benkart, Mattson Thermal Products, Dornstadt

Conductive heating For SiC wafers processing
Xavier Pages, IonTechsol, Almere

SCREEN UV-Laser Annealing for next generation of Power devices
Louis Thuries, SCREEN LASSE, Gennevilliers

A Noble Cause: Neon Conservation Techniques for Laser Anneal
Seita Onishi, Infineon Technologies, Dresden

Laserbasierte Wärmebehandlung zur Wirkungsgradstabilisierung und -steigerung von Solarzellen
Sebastian Roder, Fraunhofer ISE, Freiburg

Tagesordnung 16.05.2024

Presentation of Fraunhofer IPMS, Dresden
Alexander Scheit, Fraunhofer IPMS, Dresden

Transition from Silicon to WBG Materials in Power Device Manufacturing
Werner Schustereder, Infineon Technologies Austria, Villach

Advancing SiC Manufacturing with Deep Proton Implants
Hitesh Jayaprakash, mi2-factory, Jena

iON Technology Solutions- Enhanced Ion Sources and Electrodes
Christian Kaeslin, IonTechnology, Mineola

Erfahrungsaustausch – Source Lifetime with Discussion
Lutz Ende, X-FAB, Erfurt

SiC Technology from an Ion Implantation Perspective
Volker Häublein, Fraunhofer IISB Erlangen

SiC Challenges
Jürgen Rosenberg, Axcelis Technologies, Aschheim

Ion Implantation + Sub-second Annealing: a Versatile Route Towards Hyperdoped Semiconductors
Shengqiang Zhou, Helmholtz-Zentrum, Dresden

Pinning of Basal Plane Dislocations (BPD) in SiC by Energy-Filtered Ion Implantation
Michael Rüb, mi2-factory, Jena

Gruppenfoto