Unsere Herstellungsprozesse zeichnen sich durch besonders hohe Flexibilität hinsichtlich eingesetzter Wafermaterialien und -größen aus. Siliziumwafer mit Durchmessern von 150 mm bis 200 mm können standardmäßig verarbeitet werden – weitere Größen auf Nachfrage. Die gesamte Prozesslinie basiert dabei auf einer 0,8-μm-Si-CMOS-Technologie und wird durch hochqualitative Kontaminationskontrolle gestützt.
SiC-Prototyp-Foundry
Spezielles Augenmerk liegt zudem auf der Herstellung von Siliziumkarbid-Bauelementen mit 150 mm Wafergröße. Um auch in diesem Fall die Umsetzung aller gewünschten Prozessschritte , etwa Epitaxie, ICP-Trockenätzen, Wachstum von Siliziumdioxid, Aluminiumimplantation bei erhöhter Temperatur, Aktivierungstempern oder auch Kontaktlegierung, zu gewährleisten, steht zusätzliches Equipment zur Verfügung.
Zusätzlich fungiert π-Fab auch als Plattform zur Beurteilung und Optimierung für Prozessausstattung und wir unterstützen unsere Kunden auch bei Themen der Fertigungskontrolle. Damit formt die Prototyp-Fabrik gleichermaßen auch die Basis für die am IISB angebotenen SiC-Services, welche die volle Prozesskette vom Material, über Bauelemente bis hin zu SiC-Modulen und Mechatronik-Systemen abdecken.
Verfügbare Prozessschritte
Wie beschrieben, steht π-Fab für Flexibilität wie auch Individualität und ermöglicht die Verarbeitung unterschiedlichster Wafergrößen und -typen. Ziel ist es, unsere Kunden bei der Herstellung maßgefertigter Halbleiterbauelemente und produktionsbereiter Prototypen für Leistungselektronik zu unterstützen. Auch einzelne Herstellungsschritte von Bauelementen sowie deren modulare Zusammenführung stehen in der π-Fab auf der Agenda. Dabei kann der Kunde zu jeder Zeit selbst über Ein- und Austritt aus der Prozesslinie entscheiden: