Technology Computer-Aided Design (TCAD)

Wir untersuchen Diffusions- und Implantationsprozesse, wie sie in der Halbleitertechnologie vorkommen, sowohl theoretisch als auch experimentell. Wir entwickeln dazu Modelle und bestimmen die für die Prozesssimulation erforderlichen Parameter. Unsere Forschungsaktivitäten umfassen unter anderem die Untersuchung der Diffusion in Mehrschichtstrukturen, die Modellierung der elektrischen Aktivierung von Dotieratomen, Messungen von Leerstellenkonzentrationen in Silizium-Wafern, z. B. mit Platindiffusion und DLTS, sowie theoretische Arbeiten zu Diffusionsmechanismen.

Für die Simulation von Topographieprozessen verwenden wir kommerzielle Software, Open-Source-Tools sowie Eigenentwicklungen. Diese setzen wir ein für:

• Modellierung von Trockenätzprozessen und plasmabasierten, chemischen und physikalischen Abscheidprozessen
• Kopplung von Simulationen auf Strukturebene mit Simulationen auf Geräteebene für thermische und Plasma-Reaktoren

Um zu untersuchen, wie sich Änderungen der Technologieprozesse auf das Bauelementeverhalten auswirken, untersuchen wir die elektrischen Eigenschaften verschiedener Bauelemente mit Hilfe von Simulationen. Zu diesem Zweck sind die Prozesssimulationsmodule eng mit den Bauelementesimulationsprogrammen gekoppelt.

Die Kopplung der Ergebnisse der Bauelementesimulation mit Kompaktmodellen ermöglicht es uns, nicht nur einzelne Bauelemente, sondern auch ganze Schaltungen zu behandeln.