Diese State-of-the-Art-Epitaxietechnologie wird hauptsächlich für die Prozessierung von Bauelementprototypen auf Siliziumkarbid-Basis eingesetzt.  
 
Das IISB betreibt eine durchgehende und industriekompatible 200-mm-CMOS-Linie, die im Rahmen der Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD) schrittweise für Siliziumkarbid qualifiziert wird.
 
Mit der technologischen Ausstattung kann das Fraunhofer IISB seinen Forschungspartnern, der Industrie und explizit auch KMUs eine einzigartige industrieoffene Forschungs- und Entwicklungsplattform im Bereich der SiC-Leistungselektronik und der Quantentechnologie anbieten.

Weitere Informationen zu SiC: 
https://www.iisb.fraunhofer.de/de/research_areas/materialien/siliziumkarbid.html