
Um elektrische Schaltungsverluste zu minimieren und damit den Energieverbrauch von Netzteilen oder Elektromotoren zu senken, werden Silicium-Kristalle mit einem sehr geringen elektrischen Widerstand benötigt. Jedoch treten dabei gehäuft Kristallfehler auf, die die Ausbeute in der Produktion verringern und somit die Herstellungskosten erhöhen. Herr Dipl.-Ing. Ludwig Stockmeier vom Fraunhofer Technologiezentrum für Halbleitermaterialien THM in Freiberg hat nun herausgefunden, dass gewisse Instabilitäten im Wachstumsprozess diese Defekte im Silicium-Kristall entstehen lassen. Für seine wissenschaftlich-technischen Arbeiten zur Identifizierung dieser Defek-tursache wurde Herr Stockmeier mit dem DGKK-Preis für Nachwuchswissenschaftler 2017 ausgezeichnet. Mit dem von ihm erarbeiteten Wissen können Maßnahmen ergriffen werden, um die Entstehung der Kristallfehler in der industriellen Produktion zu vermeiden.
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